互补性氧化金属半导体CMOS（Complementary Metal-

Дополнительный металлооксидный полупроводник (CMOS) - это тот же полупроводник, что и ПЗС, который может регистрировать изменения света. Технология изготовления CMOS ничем не отличается от технологии обычных компьютерных чипов, в основном это полупроводник из кремния и германия, который сосуществует с классами N (заряженный-заряженный) и P (заряженный + заряженный) в CMOS. В полупроводниках ток, генерируемый этими двумя дополнительными эффектами, может быть записан и интерпретирован чипом обработки как изображение. Точно так же размер CMOS влияет на эффект светочувствительности: чем больше площадь, тем лучше светочувствительность. Недостаток CMOS заключается в том, что он слишком подвержен шуму, главным образом потому, что ранняя конструкция вызывала перегрев CMOS из-за частых изменений тока при обработке быстро меняющихся изображений.

互补性氧化金属半导体CMOS（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）和CCD一样同为可记录光线变化的半导体。CMOS的制造技术和一般计算机芯片没什么差别，主要是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体，使其在CMOS上共存着带N（带–电） 和 P（带+电）级的半导体，这两个互补效应所产生的电流即可被处理芯片记录和解读成影像。同样，CMOS的尺寸大小影响感光性能的效果，面积越大感光性能越好。CMOS的缺点就是太容易出现杂点, 这主要是因为早期的设计使CMOS在处理快速变化的影像时，由于电流变化过于频繁而会产生过热的现象。

Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) and CCD are the same semiconductor that can record the change of light. There is no difference between the manufacturing technology of CMOS and that of general computer chips. The main reason is that the semiconductor made of silicon and germanium coexists with n (band electric) and P (band + electric) level semiconductors on CMOS. The current generated by these two complementary effects can be recorded and interpreted as an image by the processing chip. Similarly, the size of CMOS affects the effect of photosensitivity, the larger the area, the better the photosensitivity. The drawback of CMOS is that it is too easy to appear clutter. This is mainly because of the early design that CMOS will overheat due to too frequent current changes when processing fast changing images.<br>